近期,推出ROHM 。全新半导体。率M力公司发布了一款全新的和工100V功率
。MOSFET
。业电源高——RY7P250BM
。推出这款器材专为48V。全新电源。率M力架构中的和工热插拔。电路规划。业电源高,推出广泛使用于 。全新AI。率M力服务器及工业电源
,和工尤其是业电源高在需求电池维护的场合。跟着。人工智能
。技能的迅猛发展
,数据。中心。面临着史无前例的核算需求,促进服务器的功耗逐年上升 。尤其是生成性 。AI技能
。和高功能。GPU。的遍及 ,进一步加大了对进步电源功率的需求。 为了应对这一趋势,职业正逐渐从传统的12V电源体系向更高效的48V架构转型。在新的电源结构中,热插拔电路答应在服务器运转的一起安全地替换模块 ,这对MOSFET的功能提出了更高的要求。需求具有广大的安全作业区(SOA)和低导通电阻,以保证可以有用避免涌入 。电流。和过载状况的产生
。 RY7P250BM正是为满意这些要求而规划的 。该器材将宽SOA与低导通电阻的优势整合在一个紧凑的8080尺度封装中
,然后协助数据中心下降功耗和热办理担负,提高服务器的牢靠性和整体能效。跟着商场对8080尺度MOSFET需求的不断增加,RY7P250BM成为现有解决方案的抱负替代品
。 在技能功能方面,RY7P250BM供给了广泛的SOA(VDS=48V, Pw=1ms/10ms) ,十分合适热插拔使用
。此外,其导通电阻高达职业抢先的1.86mΩ(VGS=10V, ID=50A, Tj=25°C),这一数值比同尺度的其他100V宽SOA MOSFET的平均水平2.28mΩ低约18% 。这样的功能体现明显减少了功率损耗和热生成
,提高了整体能效。 在AI服务器的热插拔电路中,广大的SOA显得尤为重要
,由于这些体系常常需应对高涌入电流的应战
。RY7P250BM规划用于有用处理这些状况
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